SPI FLASH的一些主要的命令的时序：读，写，擦除，写使能，读寄存器等。

Flash的特性是，写数据只能将1写为0，0不能写为1。擦除数据是将所有数据都写为1，因此如果想在已经数据的Flash上写入新的数据，则必须先擦除。

以MT25为例来讲解QSPI FLASH的一些主要的命令的时序。这里只讨论Extended SPI，Dual SPI和Qual SPI就不讨论了,这三种模式的差异仅仅体现在命令的传输上。Extended SPI命令传输使用DQ0，而Dual SPI使用两根线来传输命令， Quad SPI使用四根线来传输命令。

对于STR传输,也就是单时钟边沿采样，最高采样频率能达到133MHz。对于DTR双边沿采样来说，最高采样频率能达到66MHz。所以SDR和DTR的采样数据的速度其实是一样的。

• MT25的内存分配

• 引脚图

引脚功能如下

• 读Flash ID   9Eh

 

9Eh时序非常简单，HOST送出8bit的命令，然后FLASH会依次送出8bit的Manufaturer ID，16bit的Device ID，以及不定长的UID。下图是MT25的Device ID数据结构 。

• 写使能 06h

不管是在擦除还是写数据之前，都需要进行写使能操作，才能操作SPI NOR FLASH。

 

• 4-BYTE 4KB SUBSECTOR ERASE擦除命令21h

Flash的擦除必须是以扇区为单位，在MT25中，可以进行64KB的扇区擦除，也可以做32KB或者4KB的子扇区擦除。

对NOR FLASH来说，只能从1写到0，所以在对某一个word或者byte进行写操作的时候，需要对NOR FLASH进行擦除。但一般SPI NOR FLASH都没有字节擦除的命令，最小都是基于SUBSECTOR的擦除。

 

 

• 写命令 12h

写命令一次只能写一个PAGE，也就是256个byte。

• 读Status Register 05h

时序是读register的操作，status register一共是八位，一般用来查询读操作是否完成。 

• 读命令13h

 

借鉴于：

https://blog.csdn.net/u011280717/article/details/81408874